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UMH11N PDF预览

UMH11N

更新时间： 2024-01-29 19:43:40
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 111K
描述
Digital Transistors

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UMH11N 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

UMH11N 数据手册

 浏览型号UMH11N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UMH11N的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
UMH11N  
Micro Commercial Components  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
•
•
•
•
Two DTC114E Chips in SOT-363 Package.  
Transistor elements are independent, eliminating interference  
Design For Saving Space and Cost.  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 .  
Digital Transistors  
Absolute maximum ratings @ 25?  
Symbol  
VCC  
VIN  
Parameter  
Supply voltage  
Input voltage  
Value  
50  
-10~40  
50  
100  
150(Total)  
150  
Unit  
V
V
SOT-363  
IO  
Output current  
mA  
mA  
mW  
?
IC(MAX)  
Pd  
Tj  
Collector Current  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
G
Tstg  
-55~150  
?
C
B
Electrical Characteristics @ 25?  
Symbol  
VI(off)  
VI(on)  
VO(on)  
II  
Parameter  
Input voltage (VCC=5V, IO=100µA)  
(VO=0.3V, IO=10mA)  
Min  
---  
3.0  
---  
---  
---  
30  
7
0.8  
Typ  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
10  
1.0  
Max  
0.5  
---  
0.3  
0.88  
0.5  
---  
Unit  
V
V
V
mA  
µA  
A
H
Output voltage (IO/II=10mA/0.5mA)  
Input current (VI=5V)  
M
K
IO(off)  
GI  
R1  
Output current (VCC=50V, VI=0)  
DC current gain (VO=5V, IO=5mA)  
Input resistance  
J
D
L
13  
1.2  
KΩ  
R2/R1  
Resistance ratio  
Transition frequency  
(VCE=10V, IE=-5mA, f=100MHz)  
fT  
---  
250  
---  
MHz  
DIMENSIONS  
Equivalent circuit  
INCHES  
MM  
DIM  
A
MIN  
.006  
.045  
.085  
MAX  
.014  
.053  
.096  
MIN  
0.15  
1.15  
2.15  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
(3) (2) (1)  
B
R1  
R2  
C
D
G
H
J
.026  
0.65Nominal  
DTr  
1
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.80  
---  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
DTr2  
R2  
R1  
(4) (5) (6)  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
R
1
=10kΩ  
=10kΩ  
L
R2  
M
Marking :H11  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 2  
20/0182/31  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UMH11N_11 MCC

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 		Digital Transistors
UMH11NFHA ROHM

获取价格

 		车载数字晶体管与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。
UMH11NFHATR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
UMH11NHE3 MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn;
UMH11NQ YANGJIE

获取价格

 		SOT-363
UMH11NTL ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,
UMH11NTN ROHM

获取价格

 		NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)
UMH11N-TP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS C
UMH11N-TP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
UMH11NTR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,

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