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UMH11N PDF预览

UMH11N

更新时间： 2024-01-06 10:46:10
品牌 Logo 应用领域
TMT 晶体数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 150K
描述
DUAL Digital Transistor(NPNNPN)

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UMH11N 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

UMH11N 数据手册

 浏览型号UMH11N的Datasheet PDF文件第2页 
UMH11N  
DUAL Digital Transistor(NPN+NPN)  
Small Signal Product  
SOT-363  
Features  
◇ Epitaxial planar die construction  
◇ Surface device type mounting  
◇ Moisture sensitivity level 1  
◇ Pb free version and RoHS compliant  
◇ Two DTC114E chip in a package  
◇ Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines  
◇ Transistor elements are independent, eliminating interference  
◇ Mounting cost and area be cut in half  
1
Mechanical Data  
◇ Case : SOT- 363 small outline plastic package  
◇ Lead : Pure tin plated, lead free, solderable per  
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed  
◇ Weight : 7.1 mgram (approximately)  
◇ Marking Code : H11  
Ordering Information  
Packing code  
(Green)  
Part No.  
Package  
SOT-363  
Packing  
Packing code  
RE  
Manufacture code  
M0  
REG  
UMH11N  
3K / 7" Reel  
Note：Detail please see "Ordering Information(detail, example)" below.  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Absolute Maximum Ratings (TA=25oC)  
Parameter  
Value  
50  
Symbol  
Vcc  
VIN  
Units  
V
Supply voltage  
Input voltage  
-10~40  
50  
V
Io  
mA  
mA  
mW  
OC  
Output current  
IC(max)  
Pd  
100  
Power dissipation  
150  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
TJ  
150  
OC  
TSTG  
- 55 to + 150  
Characteristics at TA=25oC  
Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Symbol  
VI(off)  
VI(on)  
VO(on)  
II  
Units  
V
Parameter  
Vcc=5V, Io=100uA  
0.5  
Input voltage  
Vo=0.3V, Io=10mA  
3
V
Io/II=10mA/0.5mA  
Output voltage  
Input current  
0.1  
0.3  
0.88  
0.5  
V
VI=5V  
mA  
uA  
Vcc=50V, VI=0  
Onput current  
IO(off)  
GI  
DC current gain  
Input resistance  
Resistance ratio  
Transition frequency  
Vo=5V, Io=5mA  
30  
7
-
R1  
10  
1
13  
KΩ  
-
R2/R1  
fT  
0.8  
1.2  
VCE=10V, IE=5mA, f=100MHz  
250  
MHz  
Version：B13  
12

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