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UMH10N-TP

更新时间： 2024-01-26 17:38:49

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美微科 - MCC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	235K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6

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UMH10N-TP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

UMH10N-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

UMH10N

Micro Commercial Components

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

•

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Two DTC123J Chips in SOT-363 Package.

Transistor elements are independent, eliminating interference

Design For Saving Space and Cost.

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Digital Transistors

Absolute maximum ratings @ 25?

Symbol

V_CC

V_IN

Parameter

Supply voltage

Input voltage

Value

-5~40

100

150

Unit

SOT-363

I_O

Output current

I_C(MAX)

P_d

T_j

Collector Current

Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

T_stg

Electrical Characteristics @ 25?

Symbol

V_I(off)

V_I(on)

V_O(on)

I_I

Parameter

Input voltage (V_CC=5V, I_O=100µA)

(V_O=0.3V, I_O=5mA)

Min

---

1.1

---

1.54

Typ

---

0.1

---

2.2

Max

0.5

---

0.3

3.6

0.5

---

Unit

µA

Output voltage (I_O/I_I=5mA/0.25mA)

Input current (V_I=5V)

I_O(off)

G_I

R₁

Output current (V_CC=50V, V_I=0)

DC current gain (V_O=5V, I_O=10mA)

Input resistance

2.86

KΩ

R₂/R₁

Resistance ratio

Transition frequency

(V_CE=10V, I_E=5mA, f=100MHz)

f_T

---

250

---

MHz

DIMENSIONS

Equivalent circuit

INCHES

MAX

DIM

MIN

.006

.045

.085

MIN

0.15

1.15

2.15

MAX

0.35

1.35

2.45

NOTE

.014

.053

.096

.026

0.65Nominal

.047

.071

---

.055

.087

.004

.043

.018

.006

1.20

1.80

1.40

2.20

0.10

1.10

0.46

0.15

---

.035

.010

.003

0.90

0.26

0.08

Marking :H10

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: B

2013/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UMH10NTR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
UMH10TL	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
UMH10TN	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
UMH11	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SO
UMH11N	TSC	获取价格	DUAL Digital Transistor(NPNNPN)
UMH11N	HTSEMI	获取价格	General purpose transistors (du al transistors)
UMH11N	SECOS	获取价格	NPN Mult i-Chip Built-in Resistors Transistor
UMH11N	TMT	获取价格	DUAL Digital Transistor(NPNNPN)
UMH11N	ROHM	获取价格	General purpose (dual digital transistors)
UMH11N	MCC	获取价格	Digital Transistors

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