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UMG8N-TP PDF预览

UMG8N-TP

更新时间： 2024-09-28 21:19:55
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 410K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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UMG8N-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.75湿度敏感等级：1
峰值回流温度（摄氏度）：260处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

UMG8N-TP 数据手册

 浏览型号UMG8N-TP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
UMG8N  
Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
xꢀ Two DTC143Z chips in one package  
xꢀ Emitter(GND)-common type  
xꢀ Dual Digital Transistors (NPN+NPN)  
Dual DigitalTransistors  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
VCC  
Supply voltage  
50  
V
SOT-353  
Mechanical Data  
xꢀ Case: SOT-353, Molded Plastic  
xꢀ Polarity: See Diagram  
D
e
ꢀ
MARKING:G8  
2
3
4
1
Absolute maximum ratings (Ta=25oC)(For Tr1 and Tr2 in common)  
E1  
E
Symbol  
Parameter  
Limits  
Units  
5
VCC  
VIN  
IO  
Supply voltage  
50  
-5~+30  
100  
V
e1  
Input voltage  
V
Output current  
mA  
A1  
Pd  
Tj  
Power dissipation  
150  
150  
mW  
?
A2  
C
Junction temperature  
Storage temperature  
Tstg  
-55~150  
?
b
L
L1  
Electrical Characteristics @ 25?  
DIMENSIONS  
Symbol  
VI(off)  
VI(on)  
VO(on)  
II  
Parameter  
Input voltage (VCC=5V, IO=100µA)  
(VO=0.3V, IO=5mA)  
Min  
---  
0.5  
---  
---  
---  
80  
3.29  
8.0  
Typ  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
4.7  
10  
Max  
1.3  
---  
0.3  
1.8  
0.5  
---  
Unit  
V
V
V
mA  
µA  
INCHES  
MM  
DIM  
A1  
A2  
b
c
D
MIN  
---  
MAX  
MIN  
---  
MAX  
0.100  
1.000  
0.350  
0.150  
2.200  
1.350  
2.450  
NOTE  
.004  
.039  
.014  
.006  
.087  
.053  
.096  
Output voltage (IO/II=5mA/0.25mA)  
Input current (VI=5V)  
.035  
.006  
.003  
0.79  
.045  
.085  
0.900  
0.150  
0.080  
2.000  
1.150  
2.150  
IO(off)  
GI  
R1  
Output current (VCC=50V, VI=0)  
DC current gain (VO=5V, IO=10mA)  
Input resistance  
E
E1  
6.11  
12  
KΩ  
R2/R1  
Resistance ratio  
e
e1  
L
.026TYP  
.055  
.021REF  
.018  
0.650TYP  
1.200 1.400  
0.525REF  
0.260 0.460  
.047  
.010  
Transition frequency  
(VO=10V, IO=5mA, f=100MHz)  
fT  
---  
250  
---  
MHz  
L1  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2013/11/20  
1 of 2  
12

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与UMG8N-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UMG8N-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
UMG8TL ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
UMG8TR ROHM

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UMG9N BL Galaxy Electrical

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 		EMG9 / UMG9N / FMG9A NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Tra
UMG9TL ROHM

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 		暂无描述
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