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UMG8N

更新时间： 2024-02-08 09:26:17
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 73K
描述
Emitter common (dual digital transistors)

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UMG8N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PDSO-G5
JESD-609代码：e3/e2元件数量：2
端子数量：5封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN/TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

UMG8N 数据手册

 浏览型号UMG8N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UMG8N的Datasheet PDF文件第3页 
EMG8 / UMG8N / FMG8A  
Transistors  
Emitter common  
(dual digital transistors)  
EMG8 / UMG8N / FMG8A  
zFeatures  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
1) Two DTC143Z chips in a EMT or UMT or SMT  
package.  
EMG8  
2) Mounting cost and area can be cut in half.  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
(
(
)
)
4
5
1.2  
1.6  
zStructure  
Each lead has same dimensions  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
(Built-in resistor type)  
ROHM  
: EMT5  
Abbreviated symbol : G8  
UMG8N  
The following characteristics apply to both the DTr1 and  
DTr2.  
1.25  
2.1  
0.1Min.  
zEquivalent circuit  
Each lead has same dimensions  
EMG8 / UMG8N  
FMG8A  
ROHM  
EIAJ  
:
UMT5  
:
SC-88A  
(3)  
(4)  
(5)  
(3)  
(2)  
(1)  
R
1
=4.7kΩ  
=47kΩ  
R
1
=4.7kΩ  
=47kΩ  
Abbreviated symbol : G8  
R
1
R1  
R
1
R1  
R2  
R2  
R2  
R2  
R2  
R2  
DTr2  
DTr1  
DTr2  
DTr1  
FMG8A  
(2)  
(1)  
(4)  
(5)  
1.6  
2.8  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
0.3to0.6  
Each lead has same dimensions  
Limits  
Parameter  
Symbol  
Unit  
ROHM  
EIAJ  
:
SMT5  
Supply voltage  
V
CC  
50  
30  
V
:
SC-74A  
Abbreviated symbol : G8  
Input voltage  
VIN  
V
−5  
I
O
100  
100  
Output current  
mA  
I
C (Max.)  
1
∗
2
∗
EMG8, UMG8N  
150 (TOTAL)  
300 (TOTAL)  
150  
Power  
dissipation  
Pd  
mW  
FMG8A  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
˚C  
˚C  
Tstg  
−55 to +150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
∗
∗
Rev.A  
1/2  
123

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