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UFT20020A

更新时间： 2024-09-15 21:12:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 超快恢复二极管快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 447K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2

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UFT20020A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.88
应用：ULTRA FAST RECOVERY外壳连接：ANODE
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X2
最大非重复峰值正向电流：1500 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：100 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.05 µs表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
Base Number Matches：1

UFT20020A 数据手册

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Ultrafast Recovery Modules  
UFT200, 201 & 202  
A
Dim. Inches  
Millimeters  
R
G
Min.  
Max. Notes  
Max. Min.  
Baseplate  
A=Common Anode  
---  
17.78  
---  
92.20  
20.32  
A ---  
B 0.700  
C ---  
E 0.120  
F 0.490  
3.630  
0.800  
0.630  
0.130  
0.510  
B
16.00  
3.30  
12.95  
3.05  
12.45  
Q
N
W
1.375 BSC  
G
34.92 BSC  
0.25  
---  
6.99  
H 0.010  
N ---  
Q 0.275  
---  
---  
0.290  
---  
---  
7.37  
Baseplate  
1/4-20  
Dia.  
Common Cathode  
F
U
U
R
80.01 BSC  
3.150 BSC  
15.24  
7.92  
4.57  
---  
8.64  
4.95  
U 0.600  
V 0.312  
W 0.180  
---  
0.340  
0.195  
C
Baseplate  
D=Doubler  
H
Dia.  
Notes:  
Baseplate: Nickel plated  
copper  
V
E
Microsemi  
Working Peak  
Repetitive Peak  
Reverse Voltage Reverse Voltage  
Catalog Number  
UFT20005*  
50V  
100V  
150V  
50V  
100V  
150V  
200V  
300V  
400V  
500V  
600V  
700V  
800V  
Ultra Fast Recovery  
UFT20010*  
UFT20015*  
UFT20020*  
175°C Junction Temperature  
UFT20120* 200V  
UFT20130* 300V  
UFT20140* 400V  
V
RRM 50 to 800 Volts  
High surge capacity  
500V  
600V  
700V  
800V  
UFT20150*  
2 X 100 Amp current rating  
ROHS Compliant  
UFT20260*  
UFT20270*  
UFT20280*  
Add Suffix A for Common Anode, D for Doubler  
Electrical Characteristics  
UFT201  
UFT200  
200A  
100A  
135°C  
1500A  
.975V  
50ns  
UFT202  
I
Square Wave  
Square Wave  
R
0JC = 0.5°C/W  
Average forward current per pkg  
Average forward current per leg  
Case Temperature  
F(AV)  
F(AV)  
C
FSM  
FM  
200A  
100A  
120°C  
1400A  
1.25V  
70ns  
200A  
100A  
115°C  
1200A  
1.35V  
90ns  
I
T
I
T
8.3ms, half sine, J = 175°C  
Maximum surge current per leg  
Max peak forward voltage per leg  
Max reverse recovery time per leg  
Max peak reverse current per leg  
Max peak reverse current per leg  
Typical Junction capacitance  
V
T
I
FM = 100A: J = 25°C*  
T
t
1/2A, 1A, 1/4A, J = 25°C  
rr  
I
I
C
6.0mA  
50µA  
300pF  
V
V
V
T
RM  
RM  
J
RRM, J = 125°C  
T
RRM, J = 25°C  
T
575pF  
275pF  
R = 10V, J = 25°C  
*Pulse test: Pulse width 300µsec, Duty cycle 2%  
Thermal and Mechanical Characteristics  
T
-55°C to 175°C  
-55°C to 175°C  
STG  
Storage temp range  
Operating junction temp range  
T
R
J
Junction to case  
0JC  
0.5°C/W  
Max thermal resistance per leg  
Max thermal resistance per pkg  
R
0
0.25°C/W Junction to case  
JC  
R
Typical thermal resistance  
Terminal Torque  
Case to sink  
0.08°C/W  
0
CS  
35-50 inch pounds  
30-40 inch pounds  
8-10 inch pounds  
Mounting base torque - (outside holes)  
Mounting base torque - (center hole)  
center bolt must be torqued first  
Weight  
2.8 ounces (75 grams) typical  
www.microsemi.com  
October, 2012 - Rev. 6  
12345

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