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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.3 | 应用： | ULTRA FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.95 V | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 最大非重复峰值正向电流： | 200 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 10 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.035 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UFT2010A | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, TO-220, |
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| UFT20120 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECOVERY MODULES |
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| UFT20120A | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 |
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| UFT20120AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, MODULE-2 |
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| UFT20120D | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 |
|
| UFT20130 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECOVERY MODULES |
|
| UFT20130AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, MODULE-2 |
|
| UFT20130D | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 |
|
| UFT20130DE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, MODULE-2 |
|
| UFT20140 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECOVERY MODULES |
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