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UFT20120A

更新时间: 2024-09-15 20:51:55
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美高森美 - MICROSEMI 超快恢复二极管快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
40页 3853K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2

UFT20120A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:MODULE包装说明:R-XUFM-X2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.85应用:ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接:ANODE配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-XUFM-X2最大非重复峰值正向电流:1400 A
元件数量:2相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:100 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.07 µs
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

UFT20120A 数据手册

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