是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | R-PSFM-T2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.84 |
应用: | ULTRA FAST RECOVERY | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码: | TO-220 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T2 | 最大非重复峰值正向电流: | 200 A |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最大输出电流: | 20 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大反向恢复时间: | 0.035 µs | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UFT20120 | MICROSEMI |
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ULTRA FAST RECOVERY MODULES | |
UFT20120A | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 | |
UFT20120AE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, MODULE-2 | |
UFT20120D | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 | |
UFT20130 | MICROSEMI |
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ULTRA FAST RECOVERY MODULES | |
UFT20130AE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, MODULE-2 | |
UFT20130D | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 | |
UFT20130DE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, MODULE-2 | |
UFT20140 | MICROSEMI |
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ULTRA FAST RECOVERY MODULES | |
UFT20140A | MICROSEMI |
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