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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-XUFM-X2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 应用： | ULTRA FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X2 | 最大非重复峰值正向电流： | 1400 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 100 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向恢复时间： | 0.07 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UFT20120A | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 |
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| UFT20120AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, MODULE-2 |
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| UFT20120D | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 |
|
| UFT20130 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECOVERY MODULES |
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| UFT20130AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, MODULE-2 |
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| UFT20130D | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 |
|
| UFT20130DE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, MODULE-2 |
|
| UFT20140 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECOVERY MODULES |
|
| UFT20140A | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| UFT20140AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 400V V(RRM), Silicon, MODULE-2 |
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