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TSD835

更新时间: 2024-11-05 21:53:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
6页 203K
描述
ASYMMETRICAL THYRISTOR THYRISTOR ASYMETRIQUE

TSD835 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
标称电路换相断开时间:5 µs最大直流栅极触发电流:0.2 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 V最大漏电流:5 mA
通态非重复峰值电流:250 A最大通态电流:35000 A
断态重复峰值电压:800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

TSD835 数据手册

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