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TSD882S

更新时间： 2024-01-02 14:24:20

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TSC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	55K
描述
Low Vce(sat) NPN Transistor

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TSD882S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.8	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	90 MHz
Base Number Matches：	1

TSD882S 数据手册

TSD882S

Low Vce(sat) NPN Transistor

Pin assignment:

TO-92

1. Emitter

2. Collector

3. Base

BV_CEO= 50V

Ic = 3A

V_{CE (SAT)}, = 0.3V(typ.) @Ic / Ib = 2A / 20mA

SOT-89

1. Base

2. Collector

3. Emitter

Features

Ordering Information

Low V_{CE (SAT).}

Part No.

TSD882SCT

TSD882SCY

Packing

Bulk Pack

Package

TO-92

SOT-89

Excellent DC current gain characteristics

Structure

Tape & Reel

Epitaxial planar type.

Complimentary to TSB772S

Absolute Maximum Rating (Ta = 25 ^oC unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

50V

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

50V

Pulse

TO-92

SOT-89

7 (note 1)

0.75

Collector Power Dissipation

P_D

0.50

Operating Junction Temperature

T_J

+150

- 55 to +150

^oC

Operating Junction and Storage Temperature Range

Note: 1. Single pulse, Pw = 350uS, Duty <= 2%

T_STG

Electrical Characteristics

Ta = 25 ^oC unless otherwise noted

Parameter

Static

Conditions

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Collector-Base Voltage

I_C= 50uA, I_E= 0

I_C= 1mA, I_B= 0

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I_E= 50uA, I_C= 0

V_CB= 40V, I_E= 0

V_EB= 4V, I_C= 0

Emitter Cutoff Current

I_EBO

Collector-Emitter Saturation Voltage

DC Current Transfer Ratio

Transition Frequency

I_C/ I_B= 2.0A / 0.2A

V_CE= 2V, I_C= 1A

V_CE= 5V, I_C= 100mA,

f = 100MHz

V_CE(SAT)

h_FE

0.3

0.5

500

160

f_T

MHz

Output Capacitance

V_CB= 10V, f=1MHz

Cob

Note : pulse test: pulse width <=380uS, duty cycle <=2%

TSD882S

1-3

2003/12 rev. A

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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