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TSD882CKB0

更新时间： 2024-02-24 05:02:52

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描述
Low Vcesat NPN Transistor

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TSD882CKB0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.8	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	90 MHz	Base Number Matches：	1

TSD882CKB0 数据手册

TSD882

Low Vcesat NPN Transistor

TO-126

Pin Definition:

1. Emitter

2. Collector

3. Base

PRODUCT SUMMARY

BV_CBO

BV_CEO

I_C

60V

30V

V_CE(SAT)

0.5V @ I_C=2A, I_B=200mA

Features

Ordering Information

●

Low V_CE(SAT)0.3 @ I_C=2A, I_B=200mA (Typ.)

Complementary part with TSB772

Part No.

TSD882CK B0

TSD882CK B0G

Package

TO-126

Packing

200pcs / Bulk

●

Structure

Note: “G” denote for Halogen Free Product

●

Epitaxial Planar Type

NPN Silicon Transistor

●

Absolute Maximum Rating (T_A=25^oC unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

7 (note)

Collector Current

I_C

Pulse

T_A=25^oC

T_C=25^oC

Collector Power Dissipation

P_D

Operating Junction Temperature

T_J

+150

^oC

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_STG

- 55 to +150

Note: Single pulse, Pw≤350us, Duty≤2%

Electrical Specifications (T_A=25^oC unless otherwise noted)

Parameter

Conditions

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Min

Typ

Max

Unit

Collector-Base Breakdown Voltage

I_C=50uA, I_E=0

Collector-Emitter Breakdown Voltage I_C= 1mA, I_B=0

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I_E=50uA, I_C=0

V_CB=60V, I_E=0

V_EB=6V, I_C=0

100

0.5

1.5

Emitter Cutoff Current

I_EBO

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C=2A, I_B=200mA

V_CE=2V, I_C=20A

V_CE=2V, I_C=500mA

V_CE=2V, I_C=1A

V_CE=5V, I_C=500mA,

f=100MHz

*V_CE(SAT)

*V_BE(SAT)

0.3

*h_FE

160

180

150

DC Current Transfer Ratio

390

Transition Frequency

Output Capacitance

f_T

270

MHz

V_CB= 10V, f=1MHz

Cob

* Pulse Test: Pulse Width ≤300uS, Duty Cycle≤2%

1/6

Version: C11

12 3 4 5 6

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