5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > TSD882CKB0G
TSD882CKB0G PDF预览

TSD882CKB0G

更新时间： 2024-11-18 08:34:15
品牌 Logo 应用领域
TSC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 617K
描述
Low Vcesat NPN Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

TSD882CKB0G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：90 MHzBase Number Matches：1

TSD882CKB0G 数据手册

 浏览型号TSD882CKB0G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TSD882CKB0G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TSD882CKB0G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TSD882CKB0G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TSD882CKB0G的Datasheet PDF文件第6页 
TSD882  
Low Vcesat NPN Transistor  
TO-126  
Pin Definition:  
1. Emitter  
2. Collector  
3. Base  
PRODUCT SUMMARY  
BVCBO  
BVCEO  
IC  
60V  
30V  
3A  
VCE(SAT)  
0.5V @ IC=2A, IB=200mA  
Features  
Ordering Information  
●
Low VCE(SAT) 0.3 @ IC=2A, IB=200mA (Typ.)  
Complementary part with TSB772  
Part No.  
TSD882CK B0  
TSD882CK B0G  
Package  
TO-126  
TO-126  
Packing  
200pcs / Bulk  
200pcs / Bulk  
●
Structure  
Note: “G” denote for Halogen Free Product  
●
Epitaxial Planar Type  
NPN Silicon Transistor  
●
Absolute Maximum Rating (TA=25oC unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
60  
30  
V
6
V
DC  
3
7 (note)  
1
Collector Current  
IC  
A
Pulse  
TA=25oC  
TC=25oC  
Collector Power Dissipation  
PD  
W
10  
Operating Junction Temperature  
TJ  
+150  
oC  
oC  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TSTG  
- 55 to +150  
Note: Single pulse, Pw≤350us, Duty≤2%  
Electrical Specifications (TA=25oC unless otherwise noted)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Min  
60  
30  
6
Typ  
--  
Max  
--  
Unit  
V
Collector-Base Breakdown Voltage  
IC =50uA, IE =0  
Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = 1mA, IB =0  
--  
--  
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
IE =50uA, IC =0  
--  
--  
V
VCB =60V, IE =0  
VEB =6V, IC =0  
--  
--  
100  
100  
0.5  
1.5  
--  
nA  
nA  
V
Emitter Cutoff Current  
IEBO  
--  
--  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
IC=2A, IB=200mA  
IC=2A, IB=200mA  
VCE =2V, IC =20A  
VCE =2V, IC =500mA  
VCE =2V, IC =1A  
VCE =5V, IC=500mA,  
f=100MHz  
*VCE(SAT)  
*VBE(SAT)  
--  
0.3  
--  
--  
V
*hFE  
*hFE  
*hFE  
1
2
3
160  
180  
150  
--  
DC Current Transfer Ratio  
--  
390  
--  
--  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
--  
--  
270  
16  
--  
--  
MHz  
pF  
VCB = 10V, f=1MHz  
Cob  
* Pulse Test: Pulse Width ≤300uS, Duty Cycle≤2%  
1/6  
Version: C11  
123456

中文翻译

下载PDF

与TSD882CKB0G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TSD882S TSC

获取价格

 		Low Vce(sat) NPN Transistor
TSD882S_07 TSC

获取价格

 		Low Vcesat NPN Transistor
TSD882SCT TSC

获取价格

 		Low Vce(sat) NPN Transistor
TSD882SCY TSC

获取价格

 		Low Vce(sat) NPN Transistor
TSD-887 PMI

获取价格

 		SWITCH MODE DC/DC POWER CONVERSION TRANSFORMERS
TSD-892 PMI

获取价格

 		SUPPORT PRODUCTS FOR MICRO LINEAR I.C.S
TSD-893 PMI

获取价格

 		OFF-LINE SWITCH MODE TRANSFORMERS
TSD-8A12 ROITHNER

获取价格

 		Laser Diode
TSD9 ETC

获取价格

 		EURO TERMINAL BLOCKS
TSD-902 PMI

获取价格

 		SUPPORT PRODUCTS FOR MICRO LINEAR I.C.S

与TSD882CKB0G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证