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TSD882CKB0

更新时间: 2024-02-25 14:27:11
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6页 617K
描述
Low Vcesat NPN Transistor

TSD882CKB0 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.8最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):90 MHzBase Number Matches:1

TSD882CKB0 数据手册

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TSD882  
Low Vcesat NPN Transistor  
Electrical Characteristics Curve (TA=25oC, unless otherwise noted)  
Figure 13. Cutoff Frequency vs. IC  
Figure 14. On Voltage vs. IC  
Figure 15. Power Derating Curve  
Figure 16. Power Derating Curve  
4/6  
Version: C11  

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