Datasheet > 光电 > 红外 LED> TSAL6100-MSZ

TSAL6100-MSZ

更新时间： 2024-09-09 13:14:55

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		半导体红外LED 光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	112K
描述
Infrared LED, LAMP,IRED,940NM PEAK WAVELENGTH,LED-2B

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TSAL6100-MSZ 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.67	最大正向电流：	0.1 A
最大正向电压：	1.6 V	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
光电设备类型：	INFRARED LED	峰值波长：	940 nm
最大反向电压：	5 V	半导体材料：	GaAs/GaAIAs
光谱带宽：	5e-8 m	子类别：	Infrared LEDs
表面贴装：	NO	视角：	20 deg
Base Number Matches：	1

TSAL6100-MSZ 数据手册

TSAL6100

Vishay Semiconductors

High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs

FEATURES

• Package type: leaded

• Package form: T-1¾

• Dimensions (in mm): ∅ 5

• Peak wavelength: λ_p= 940 nm

• High reliability

• High radiant power

• High radiant intensity

• Angle of half intensity: ϕ = 10ꢀ

94 8389

• Low forward voltage

• Suitable for high pulse current operation

• Good spectral matching with Si photodetectors

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

DESCRIPTION

TSAL6100 is an infrared, 940 nm emitting diode in

GaAlAs/GaAs technology with high radiant power molded in

a blue-gray plastic package.

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

APPLICATIONS

• Infrared remote control units with high power reqirements

• Free air transmission systems

• Infrared source for optical counters and card readers

• IR source for smoke detectors

PRODUCT SUMMARY

COMPONENT

I_e(mW/sr)

ϕ (deg)

_P(nm)

t_r(ns)

TSAL6100

130

940

800

Note

Test conditions see table “Basic Characteristics”

ORDERING INFORMATION

ORDERING CODE

PACKAGING

Bulk

REMARKS

PACKAGE FORM

TSAL6100

MOQ: 4000 pcs, 4000 pcs/bulk

T-1¾

Note

MOQ: minimum order quantity

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Reverse voltage

V_R

I_F

Forward current

100

200

1.5

Peak forward current

Surge forward current

Power dissipation

t_p/T = 0.5, t_p= 100 µs

t_p= 100 µs

I_FM

I_FSM

P_V

T_j

160

100

ꢀC

Junction temperature

Operating temperature range

Storage temperature range

Soldering temperature

T_amb

T_stg

T_sd

- 40 to + 85

- 40 to + 100

260

ꢀC

t ≤ 5 s, 2 mm from case

ꢀC

J-STD-051, leads 7 mm soldered

on PCB

Thermal resistance junction/ambient

R_thJA

230

K/W

Note

_amb= 25 ꢀC, unless otherwise specified

Document Number: 81009

Rev. 1.6, 29-Jun-09

For technical questions, contact: emittertechsupport@vishay.com

www.vishay.com

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TSAL6100UL	VISHAY	获取价格	Infrared LED
TSAL6102	VISHAY	获取价格	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW
TSAL6200	VISHAY	获取价格	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs
TSAL6200	TEMIC	获取价格	Infrared LED, 5mm, 1-Element, 940nm, PLASTIC, 2 PIN
TSAL6200_08	VISHAY	获取价格	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs
TSAL6200_09	VISHAY	获取价格	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs
TSAL6400	VISHAY	获取价格	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs
TSAL6400_08	VISHAY	获取价格	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs
TSAL6400_09	VISHAY	获取价格	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs
TSAL6400-ASZ	VISHAY	获取价格	Infrared LED, LAMP,IRED,940NM PEAK WAVELENGTH,LED-2B

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