Datasheet > 光电 > 红外 LED> TSAL5300-ASZ

TSAL5300-ASZ

更新时间： 2024-09-09 13:02:07

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		半导体红外LED 光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	216K
描述
Infrared LED, 940nm

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TSAL5300-ASZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.67	最大正向电流：	0.1 A
最大正向电压：	1.6 V	JESD-609代码：	e2
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-55 °C	光电设备类型：	INFRARED LED
峰值波长：	940 nm	最大反向电压：	5 V
半导体材料：	GaAs/GaAIAs	光谱带宽：	5e-8 m
子类别：	Infrared LEDs	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)	视角：	44 deg
Base Number Matches：	1

TSAL5300-ASZ 数据手册

TSAL5300

High Power Infrared Emitting Diode,

940 nm, GaAlAs/GaAs

Vishay Semiconductors

FEATURES

• Package type: leaded

• Package form: T-1¾

• Dimensions (in mm): ∅ 5

• Leads with stand-off

• Peak wavelength: λ_p= 940 nm

• High reliability

• High radiant power

• High radiant intensity

96 11505

• Angle of half intensity: ϕ = 22ꢀ

• Low forward voltage

• Suitable for high pulse current operation

• Good spectral matching with Si photodetectors

DESCRIPTION

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

TSAL5300 is an infrared, 940 nm emitting diode in

GaAlAs/GaAs technology with high radiant power molded in

a blue-gray plastic package.

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

APPLICATIONS

• Infrared remote control units with high power requirements

• Free air transmission systems

• Infrared source for optical counters and card readers

PRODUCT SUMMARY

COMPONENT

I_e(mW/sr)

ϕ (deg)

_P(nm)

t_r(ns)

TSAL5300

940

800

Note

Test conditions see table “Basic Characteristics“

ORDERING INFORMATION

ORDERING CODE

PACKAGING

REMARKS

PACKAGE FORM

T-1¾

TSAL5300

Bulk

MOQ: 4000 pcs, 4000 pcs/bulk

TSAL5300-MSZ

Tape and ammopack

MOQ: 5000 pcs, 1000 pcs/ammopack

T-1¾

Note

MOQ: minimum order quantity

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

V_R

VALUE

UNIT

Reverse voltage

100

Forward current

I_F

Peak forward current

Surge forward current

Power dissipation

t_p/T = 0.5, t_p= 100 µs

t_p= 100 µs

I_FM

200

I_FSM

P_V

1.5

160

ꢀC

Junction temperature

Operating temperature range

Storage temperature range

Soldering temperature

T_j

100

T_amb

T_stg

T_sd

- 40 to + 85

- 40 to + 100

260

ꢀC

t ≤ 5 s, 2 mm from case

ꢀC

J-STD-051, leads 7 mm soldered

on PCB

Thermal resistance junction/ambient

R_thJA

230

K/W

Note

_amb= 25 ꢀC, unless otherwise specified

Document Number: 81008

Rev. 2.0, 29-Jun-09

For technical questions, contact: emittertechsupport@vishay.com

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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TSAL5300-MSZ	VISHAY	获取价格	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs
TSAL6100	VISHAY	获取价格	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs
TSAL6100_08	VISHAY	获取价格	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs
TSAL6100_09	VISHAY	获取价格	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs
TSAL6100-MSZ	VISHAY	获取价格	Infrared LED, LAMP,IRED,940NM PEAK WAVELENGTH,LED-2B
TSAL6100UL	VISHAY	获取价格	Infrared LED
TSAL6102	VISHAY	获取价格	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW
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