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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> TPCP8103-H
TPCP8103-H PDF预览

TPCP8103-H

更新时间： 2024-01-14 19:37:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 213K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (Ultra High speed U-MOSIII)

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TPCP8103-H 技术参数

生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1604187Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：SO Transistor Flat Lead
Samacsys Footprint Name：2-3V1KSamacsys Released Date：2018-11-23 00:22:10
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：4.8 A
最大漏源导通电阻：0.054 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPCP8103-H 数据手册

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TPCP8103-H  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Gate leakage current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
= ±16 V, V  
= 0 V  
= 0 V  
⎯
⎯
⎯
⎯
±10  
-10  
⎯
μA  
μA  
GSS  
GS  
DS  
DS  
Drain cutoff current  
I
= -40 V, V  
DSS  
GS  
V
V
I
I
= -10 mA, V  
= -10 mA, V  
= 0 V  
-40  
-20  
-0.8  
⎯
⎯
(BR) DSS  
(BR) DSX  
D
D
GS  
GS  
Drain-source breakdown voltage  
Gate threshold voltage  
V
V
= −20 V  
⎯
⎯
V
V
V
V
V
= -10 V, I = -1 mA  
⎯
-2.0  
54  
40  
⎯
th  
DS  
GS  
GS  
DS  
D
= -4.5 V, I = -2.4 A  
42  
D
Drain-source ON-resistance  
R
mΩ  
S
DS (ON)  
= -10 V, I = -2.4 A  
⎯
31  
D
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
|Y |  
fs  
= -10 V, I = -2.4 A  
5
10  
D
C
C
⎯
800  
115  
165  
⎯
iss  
V
= -10 V, V  
= 0 V, f = 1 MHz  
GS  
pF  
Reverse transfer capacitance  
Output capacitance  
⎯
⎯
DS  
rss  
C
⎯
⎯
oss  
Rise time  
t
I
=−2.4A  
D
⎯
⎯
⎯
6.5  
12.5  
9
⎯
⎯
⎯
r
V
GS  
−10 V  
出力  
Turn-on time  
Switching time  
t
on  
ns  
Fall time  
t
f
∼
−
V
−20 V  
DD  
<
Duty 1%, t = 10 μs  
=
w
Turn-off time  
t
⎯
⎯
⎯
37  
19  
11  
⎯
⎯
⎯
off  
∼
−
V
-32 V, V  
= -10 V,  
= -5 V,  
DD  
GS  
GS  
I
= -4.8 A  
D
Total gate charge  
Q
g
(gate-source plus gate-drain)  
∼
−
V
D
-32 V, V  
DD  
= -4.8 A  
I
nC  
Gate-source charge 1  
Gate-drain (“Miller”) charge  
Gate switch charge  
Q
Q
⎯
⎯
⎯
1.5  
5.5  
6.5  
⎯
⎯
⎯
gs1  
∼
V
-32 V, V  
= -10 V,  
−
DD  
= -4.8 A  
GS  
Q
gd  
I
D
SW  
Source-Drain Ratings and Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Drain reverse current  
Forward voltage (diode)  
Pulse (Note 1)  
I
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
-19.2  
1.2  
A
V
DRP  
V
I
= −4.8 A, V  
= 0 V  
GS  
DSF  
DR  
3
2007-06-22  
1234

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与TPCP8103-H相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPCP8103-H(TE85L,F) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,40V V(BR)DSS,4.8A I(D),TSOP
TPCP8103-H_09 TOSHIBA

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