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TPCC8008(TE12L,QM)

更新时间： 2024-11-25 15:54:55
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
7页 238K
描述
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON

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TPCC8008(TE12L,QM) 技术参数

生命周期：End Of Life包装说明：,
Reach Compliance Code：unknownFactory Lead Time：24 weeks
风险等级：1.56Base Number Matches：1

TPCC8008(TE12L,QM) 数据手册

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TPCC8008  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅣ)  
TPCC8008  
Notebook PC Applications  
Unit: mm  
Portable Equipment Applications  
•
•
Small footprint due to a small and thin package  
Low drain-source ON-resistance:  
R
= 4.5 mΩ (typ.) ( V  
= 10 V)  
DS (ON)  
GS  
•
•
Low leakage current: I  
= 10 μA (max) (V  
= 30 V)  
DSS  
DS  
Enhancement mode: V = 1.3 to 2.5 V (V  
= 10 V, I = 1.0 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
30  
30  
V
V
V
DSS  
V
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
±25  
25  
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulsed (Note 1)  
I
75  
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25℃)  
P
30  
W
W
D
D
Drain power dissipation  
(t = 10 s)  
P
1.9  
0.7  
(Note 2a)  
Drain power dissipation  
(t = 10 s)  
P
W
D
(Note 2b)  
Single-pulse avalanche energy  
(Note 3)  
1,2,3:SOURCE 4:GATE  
5,6,7,8:DRAIN  
E
163  
25  
mJ  
A
AS  
Avalanche current  
I
AR  
Repetitive avalanche energy  
JEDEC  
⎯
⎯
E
2.58  
mJ  
AR  
(Tc = 25℃) (Note 4)  
JEITA  
T
T
150  
°C  
°C  
Channel temperature  
ch  
TOSHIBA  
2-3X1A  
−55 to 150  
Storage temperature range  
stg  
Weight: 0.02 g (typ.)  
Note: For Notes 1 to 4, refer to the next page.  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability  
Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and  
Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Circuit Configuration  
8
7
6
5
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2
3
4
1
2009-09-24  
1234567

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