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TPCC8065-H

更新时间: 2024-02-11 20:44:18
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 233K
描述
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)

TPCC8065-H 技术参数

生命周期:End Of Life包装说明:SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.34
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):13 A最大漏源导通电阻:0.0145 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:S-PDSO-F5
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

TPCC8065-H 数据手册

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TPCC8065-H  
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)  
TPCC8065-H  
1. Applications  
High-Efficiency DC-DC Converters  
Notebook PCs  
Mobile Handsets  
2. Features  
(1) Small, thin package  
(2) High-speed switching  
(3) Small gate charge: QSW = 4.3 nC (typ.)  
(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 11.7 m(typ.) (VGS = 4.5 V)  
(5) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 30 V)  
(6) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1, 2, 3: Source  
4: Gate  
5, 6, 7, 8: Drain  
TSON Advance  
2011-06-02  
Rev.2.0  
1

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