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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.023 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PDSO-F5 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPCC8131(TE12L) | TOSHIBA |
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TPCC8131(TE12L) |
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| TPCC8131(TE12L1) | TOSHIBA |
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TPCC8131(TE12L1) |
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| TPCC8131,LQ(S | TOSHIBA |
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TPCC8131,LQ(S |
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| TPCC8136 | TOSHIBA |
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MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS) |
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| TPCC8136(TE12L1) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,9.4A I(D),LLCC |
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| TPCC8136,LQ(S | TOSHIBA |
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TPCC8136,LQ(S |
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| TPCC8137 | TOSHIBA |
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P-ch MOSFET, -20 V, 0.01 Ω@4.5V, TSON Advance |
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| TPCC8137(TE12L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,13A I(D),LLCC |
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| TPCC8137(TE12L1) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,13A I(D),LLCC |
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| TPCC8138 | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS) |
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