TPCC8102

更新时间： 2024-11-25 06:01:55

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
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描述
Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅤ)

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TPCC8102 技术参数

生命周期：	End Of Life	包装说明：	2-3X1A, 8 PIN
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.3
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.0332 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-F5	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	26 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPCC8102 数据手册

TPCC8102

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅤ)

TPCC8102

Notebook PC Applications

Unit: mm

Portable Equipment Applications

•

Small footprint due to a small and thin package

Low drain-source ON-resistance:

= 14.5 mΩ (typ.) (V

= -10 V)

DS (ON)

•

Low leakage current: I

= -10 μA (max) (V

= -30 V)

DSS

Enhancement mode: V = -0.8 to -2.0 V (V

= -10 V, I = -1.0 mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

-30

±20

-15

-45

DSS

Drain-gate voltage (R

Gate-source voltage

= 20 kΩ)

DGR

GSS

(Note 1)

Drain current

Pulsed (Note 1)

Drain power dissipation (Tc = 25℃)

Drain power dissipation

(t = 10 s)

(Note 2a)

1.9

0.7

Drain power dissipation

(t = 10 s)

(Note 2b)

Single-pulse avalanche energy

(Note 3)

1,2,3:SOURCE 4:GATE

5,6,7,8:DRAIN

-15

Avalanche current

Repetitive avalanche energy

JEDEC

⎯

1.18

(Tc = 25℃) (Note 4)

JEITA

150

°C

Channel temperature

TOSHIBA

2-3X1A

-55 to 150

Storage temperature range

stg

Weight: 0.02 g (typ.)

Note: For Notes 1 to 4, refer to the next page.

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e.

operating temperature/current/voltage, etc.) are within the

absolute maximum ratings. Please design the appropriate

reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability

Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and

Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report

and estimated failure rate, etc).

Circuit Configuration

This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.

2009-08-06

12 3 4 5 6 7

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