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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> TPCC8105
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TPCC8105

更新时间： 2024-11-25 12:35:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体电池开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 225K
描述
Lithium Ion Battery Applications Power Management Switch Applications

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TPCC8105 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-F8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：23 A最大漏源导通电阻：0.0104 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-F8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPCC8105 数据手册

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TPCC8105  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)  
TPCC8105  
Lithium Ion Battery Applications  
Unit: mm  
Power Management Switch Applications  
•
•
Small footprint due to a small and thin package  
Low drain-source ON-resistance:  
R
= 6.0 mΩ (typ.)( V  
= −10 V)  
DS (ON)  
GS  
•
•
Low leakage current: I  
= −10 μA (max) (V  
= −30 V)  
DSS  
DS  
Enhancement mode: V = −0.8 to −2.0 V (V  
= −10 V, I = −0.5 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (T = 25°C)  
a
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−30  
−30  
V
V
V
DSS  
V
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
−25/+20  
−23  
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulsed (Note 1)  
I
−69  
DP  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(T = 25°C)  
P
30  
W
W
c
D
D
(t = 10 s)  
(Note 2a)  
(t = 10 s)  
(Note 2b)  
P
1.9  
0.7  
138  
Drain power dissipation  
P
W
D
Single-pulse avalanche energy  
(Note 3)  
1,2,3 :SOURCE 4:GATE  
5,6,7,8:DRAIN  
E
mJ  
AS  
Avalanche current  
I
−23  
150  
A
AR  
JEDEC  
⎯
⎯
T
°C  
°C  
Channel temperature  
Storage temperature range  
ch  
JEITA  
T
−55 to 150  
stg  
TOSHIBA  
2-3X1A  
Note: For Notes 1 to 4, refer to the next page.  
Weight: 0.02 g (typ.)  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability  
Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and  
Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Circuit Configuration  
8
7
6
5
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2
3
4
1
2010-09-03  
1234567

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