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TPCC8104 PDF预览

TPCC8104

更新时间： 2024-11-25 12:05:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体电池开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 237K
描述
Lithium-Ion Secondary Batteries Power Management Switches

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TPCC8104 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.0124 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPCC8104 数据手册

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TPCC8104  
MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)  
TPCC8104  
1. Applications  
•
Lithium-Ion Secondary Batteries  
•
Power Management Switches  
2. Features  
(1) Small footprint due to a small and thin package  
(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.8 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)  
(3) Low leakage current: IDSS = -10 µA (max) (VDS = -30 V)  
(4) Enhancement mode: Vth = -0.8 to -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -0.5 mA)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1, 2, 3: Source  
4: Gate  
5, 6, 7, 8: Drain  
TSON Advance  
4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25unless otherwise specified)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
Drain current (pulsed)  
Power dissipation  
Power dissipation  
Power dissipation  
VDSS  
VGSS  
ID  
-30  
-25/+20  
-20  
(Note 1)  
(Note 1)  
A
IDP  
-60  
(Tc = 25)  
(t = 10 s)  
(t = 10 s)  
PD  
27  
W
W
W
mJ  
A
(Note 2)  
(Note 3)  
(Note 4)  
PD  
1.9  
PD  
0.7  
Single-pulse avalanche energy  
Avalanche current  
EAS  
IAR  
104  
-20  
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
Tstg  
150  
-55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
2011-06-07  
Rev.2.0  
1
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