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TPC8402(TE12L)

更新时间： 2024-10-02 15:54:55

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东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
11页	719K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,30V V(BR)DSS,4.5A I(D),SO

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TPC8402(TE12L) 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.85	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

TPC8402(TE12L) 数据手册

TPC8402

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (π−MOSVI/U−MOSII)

TPC8402

Lithium Ion Secondary Battery Applications

Notebook PCs

Unit: mm

Portable Equipment Applications

ꢀ

Low drain−source ON resistance

: P Channel R

N Channel R

= 27 mΩ (typ.)

= 37 mΩ (typ.)

DS (ON)

High forward transfer admittance

: P Channel |Y | = 7 S (typ.)

N Channel |Y | = 6 S (typ.)

Low leakage current

: P Channel I

N Channel I

= −10 µA (V

= −30 V)

= 30 V)

DSS

= 10 µA (V

Enhancement−mode

: P Channel V = −0.8~ −2.0 V (V

th DS

= −10 V, I = −1mA)

N Channel V = 0.8~2.0 V (V

th DS

= 10 V, I = 1mA)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Rating

P Channel N Channel

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Unit

JEDEC

JEITA

―

−30

±20

−4.5

−18

±20

DSS

Drain-gate voltage (R

Gate-source voltage

= 20 kΩ)

DGR

TOSHIBA

2-6J1E

GSS

Weight: 0.080 g (typ.)

Drain current

Pulse

(Note 1)

Single-device operation

(Note 3a)

Drain power

dissipation

(t = 10s)

1.5

1.0

1.5

1.0

Circuit Configuration

D (1)

Single-device value at

dual operation (Note 3b)

(Note 2a)

D (2)

D (1)

D (2)

Single-device operation

(Note 3a)

Drain power

dissipation

0.75

(t = 10s)

Single-device value at

dual operation (Note 3b)

0.45

26.3

0.45

32.5

(Note 2b)

Single pulse avalanche energy

(Note 4a) (Note 4b)

Avalanche current

−4.5

Repetitive avalanche energy

Single-device value at operation

0.10

150

(Note 2a, Note 3b, Note 5)

Channel temperature

°C

Storage temperature range

−55~150

stg

Note: For (Note 1), (Note 2a), (Note 2b), (Note 3a), (Note 3b), (Note 4a), (Note 4b) and (Note 5), please refer to the

next page.

This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.

2002-05-07

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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