Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> TP0202K-T1-GE3

TP0202K-T1-GE3

更新时间： 2024-09-13 11:54:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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4页	202K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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TP0202K-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.28	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.385 A	最大漏极电流 (ID)：	0.385 A
最大漏源导通电阻：	1.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TP0202K-T1-GE3 数据手册

SPICE Device Model TP0202K

Vishay Siliconix

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

CHARACTERISTICS

• P-Channel Vertical DMOS

• Macro Model (Subcircuit Model)

• Level 3 MOS

• Apply for both Linear and Switching Application

• Accurate over the −55 to 125°C Temperature Range

• Model the Gate Charge, Transient, and Diode Reverse Recovery

Characteristics

DESCRIPTION

The attached spice model describes the typical electrical

characteristics of the p-channel vertical DMOS. The subcircuit

model is extracted and optimized over the −55 to 125°C

temperature ranges under the pulsed 0-V to 5-V gate drive. The

saturated output impedance is best fit at the gate bias near the

threshold voltage.

A novel gate-to-drain feedback capacitance network is used to model

the gate charge characteristics while avoiding convergence difficulties

of the switched C_gdmodel. All model parameter values are optimized

to provide a best fit to the measured electrical data and are not

intended as an exact physical interpretation of the device.

SUBCIRCUIT MODEL SCHEMATIC

This document is intended as a SPICE modeling guideline and does not constitute a commercial product data sheet. Designers should refer to the appropriate

data sheet of the same number for guaranteed specification limits.

www.vishay.com

Document Number: 73186

S-52635Rev. B, 02-Jan-06

12 3 4

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TP0202K-T1-GE3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TP0202K-T1-E3	VISHAY	完全替代	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
TP0202K	VISHAY	功能相似	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
TP0202K-T1	VISHAY	功能相似	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

与TP0202K-T1-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TP0202N2	MICROCHIP	获取价格	TP0202N2
TP0202N3	MICROCHIP	获取价格	Transistor,
TP0202T	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
TP0202T-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
TP0202TT1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0202TT1	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0202T-T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR SOT23 SMD MOSFET
TP0202TT2	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0205A	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
TP0205AD	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold

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