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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.41 A | 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TP0205A | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
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| TP0205AD | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
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| TP0205AD-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| TP0205A-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| TP0206-101G | TDK |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 100uH, 2%, 1 Element |
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| TP0206-120G | TDK |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 12uH, 2%, 1 Element |
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| TP0206-150J | TDK |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 15uH, 5%, 1 Element |
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| TP0206-150K | TDK |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 15uH, 10%, 1 Element |
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| TP0206-180G | TDK |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 18uH, 2%, 1 Element |
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| TP0206-180J | TDK |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 18uH, 5%, 1 Element |
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