是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | , | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.04 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.385 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e0 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.35 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
TP0202K-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
TP0202K-T1-E3 | VISHAY |
功能相似 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TP0202K_06 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
TP0202K_13 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
TP0202K-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 385 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET G | |
TP0202K-T1 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
TP0202K-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
TP0202K-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
TP0202N2 | MICROCHIP |
获取价格 |
TP0202N2 | |
TP0202N3 | MICROCHIP |
获取价格 |
Transistor, | |
TP0202T | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
TP0202T-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |