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TP0202K-E3

更新时间： 2024-09-13 19:57:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
TRANSISTOR 385 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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TP0202K-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.29其他特性：LOW THRESHOLD
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.385 A最大漏极电流 (ID)：0.385 A
最大漏源导通电阻：14 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TP0202K-E3 数据手册

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TP0202K  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
V(BR)DSS(min) (V)  
rDS(on)  
(
ꢀ )  
VGS(th) (V)  
ID (mA)  
1.4 @ V = -10 V  
-1.3 to -3.0  
-1.3 to -3.0  
-385  
-240  
GS  
-30  
3.5 @ V = -4.5 V  
GS  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D High-Side Switching  
D Ease in Driving Switches  
D Low Offset (Error) Voltage  
D Low-Voltage Operation  
D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,  
Displays, Memories, Transistors, etc.  
D Low On-Resistance: 1.2 Ω (typ)  
D Low Threshold: -2.0 V (typ)  
D Battery Operated Systems  
D Power Supply Converter Circuits  
D Solid State Relays  
D Fast Swtiching Speed: 14 ns (typ) D High-Speed Circuits  
D Low Input Capacitance: 31 pF (typ) D Easily Driven Without Buffer  
D Gate-Source ESD Protection  
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
2
Marking Code: 2Kwll  
2K = Part Number Code for TP0202K  
w = Week Code  
ll = Lot Traceability  
3
D
Top View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
-30  
"20  
DS  
GS  
V
V
T
= 25_C  
= 85_C  
-385  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
D
J
T
A
-280  
mA  
b
Pulse Drain Current  
I
-750  
DM  
T
= 25_C  
= 85_C  
350  
A
a
P
Power Dissipation  
D
mW  
T
185  
A
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
350  
_C/W  
_C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
J
stg  
Notes  
a. Surface mounted on FR4 board.  
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
Document Number: 71609  
S-03590—Rev. C, 31-Mar-03  
www.vishay.com  
11-1  
 
1234

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