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TMS465169 PDF预览

TMS465169

更新时间： 2024-11-12 12:22:31
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
30页 469K
描述
4 194304 BY 16-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES

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TMS465169 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84内存集成电路类型：EDO DRAM
Base Number Matches：1

TMS465169 数据手册

 浏览型号TMS465169的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TMS465169的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TMS465169的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TMS465169的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TMS465169的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TMS465169的Datasheet PDF文件第7页 
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SMHS566B − JUNE 1997 − REVISED APRIL 1998  
DGE PACKAGE  
(TOP VIEW)  
D Organization . . . 4194304 by 16 Bits  
D Single 3.3-V Power Supply ( 0.3 V  
Tolerance)  
V
V
SS  
1
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
CC  
D Performance Ranges:  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
2
ACCESS ACCESS ACCESS  
EDO  
CYCLE  
3
TIME  
TIME  
TIME  
t
t
t
t
4
RAC  
CAC  
AA  
HPC  
MAX  
50 ns  
60 ns  
MAX  
13 ns  
15 ns  
MAX  
25 ns  
30 ns  
MIN  
20 ns  
25 ns  
5
’46x169/P-50  
’46x169/P-60  
V
V
6
CC  
SS  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
NC  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
DQ8  
NC  
7
D Extended-Data-Out (EDO) Operation  
8
D xCAS-Before-RAS (xCBR) Refresh  
9
D Long Refresh Period and Self-Refresh  
10  
11  
12  
13  
Option (TMS46x169P)  
D 3-State Unlatched Output  
V
V
CC  
SS  
D Low Power Dissipation  
W
RAS  
NC  
NC  
W
LCAS  
UCAS  
OE  
D High-Reliability Plastic 50-Lead  
400-Mil-Wide Surface-Mount Thin  
14  
15  
37  
36  
Small-Outline Package (TSOP) (DGE Suffix)  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
NC  
NC  
D Operating Free-Air Temperature Range  
0°C to 70°C  
†
NC  
A0  
A1  
A12/NC  
A11  
A10  
A9  
AVAILABLE OPTIONS  
SELF-  
A2  
POWER  
SUPPLY  
REFRESH  
CYCLES  
REFRESH,  
BATTERY  
BACKUP  
A3  
A8  
DEVICE  
A4  
A7  
A5  
A6  
TMS465169  
3.3 V  
3.3 V  
—
4096 in 64 ms  
4096 in 128 ms  
V
V
SS  
CC  
TMS465169P  
Yes  
description  
PIN NOMENCLATURE  
The and TMS465169 is  
a
high-speed,  
†
A0−A12  
Address Inputs  
Data In/Data Out  
67108864-bit dynamic random-access memory  
(DRAM) device organized as 4194304 words of  
16 bits. The TMS465169P is similar DRAM but  
includes a long refresh period and a self-refresh  
option. Both employ state-of-the-art technology  
for high performance, reliability, and low power at  
low cost.  
DQ0−DQ15  
LCAS  
UCAS  
NC  
Lower Column-Address Strobe  
Upper Column-Address Strobe  
No Internal Connection  
Output Enable  
Row-Address Strobe  
3.3-V Supply  
OE  
RAS  
V
V
W
CC  
SS  
Ground  
Write Enable  
†
A12 is NC for TMS465169 and TMS465169P.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
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Copyright 1998, Texas Instruments Incorporated  
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1
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251−1443  
1234567...30

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与TMS465169相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TMS465169-40DGE TI

获取价格

 		4MX16 EDO DRAM, 40ns, PDSO50
TMS465169-60DGE TI

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 		4MX16 EDO DRAM, 60ns, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-50
TMS465169P TI

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 		DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
TMS465169P-40DGE TI

获取价格

 		4MX16 EDO DRAM, 40ns, PDSO50
TMS465169P-60DGE TI

获取价格

 		4MX16 EDO DRAM, 60ns, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-50
TMS465409 TI

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 		IC EDO DRAM, Dynamic RAM
TMS465409-40DGC TI

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 		16MX4 EDO DRAM, 40ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32
TMS465409-50DGC TI

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 		16MX4 EDO DRAM, 50ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32
TMS465409-60DGC TI

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 		16MX4 EDO DRAM, 60ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32
TMS465409P-40DGC TI

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 		16MX4 EDO DRAM, 40ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32

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