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TMS464800-80DZ

更新时间： 2024-11-12 15:54:51

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TMS464800-80DZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SOJ,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J32
长度：	20.955 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	3.76 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TMS464800P-70DGC	TI	获取价格	8MX8 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32
TMS464800P-70DZ	TI	获取价格	8MX8 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO32
TMS465169	TI	获取价格	4 194304 BY 16-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
TMS465169-40DGE	TI	获取价格	4MX16 EDO DRAM, 40ns, PDSO50
TMS465169-60DGE	TI	获取价格	4MX16 EDO DRAM, 60ns, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-50
TMS465169P	TI	获取价格	DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
TMS465169P-40DGE	TI	获取价格	4MX16 EDO DRAM, 40ns, PDSO50
TMS465169P-60DGE	TI	获取价格	4MX16 EDO DRAM, 60ns, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-50
TMS465409	TI	获取价格	IC EDO DRAM, Dynamic RAM
TMS465409-40DGC	TI	获取价格	16MX4 EDO DRAM, 40ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32