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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 158 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TK4P60D,RQ | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| TK4P60DA | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Regulator Applications |
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| TK4P60DA | FREESCALE |
获取价格 |
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (Ï-MOSî²) |
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| TK4P60DB | FREESCALE |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type (Ï-MOSâ ¦) |
|
| TK4P60DB | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Regulator Applications |
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| TK4Q60DA | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Voltage Regulators |
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| TK4R1A10PL | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 100 V, 0.0041 Ω@10V, TO-220SIS, |
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| TK4R3A06PL | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 60 V, 0.0043 Ω@10V, TO-220SIS, U |
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| TK4R3E06PL | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 60 V, 0.0043 Ω@10V, TO-220, U-MO |
|
| TK4R4P06PL | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 60 V, 0.0044 Ω@10V, DPAK, U-MOSⅨ |
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