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TK4P60DA

更新时间： 2024-02-13 06:25:56

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	428K
描述
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (Ï-MOSî²)

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TK4P60DA 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	雪崩能效等级（Eas）：	147 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.7 A
最大漏极电流 (ID)：	3.7 A	最大漏源导通电阻：	2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	80 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14.8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

TK4P60DA 数据手册

TK4P60DA

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (π-MOS)

1. Applications

•

Switching Voltage Regulators

2. Features

(1) Low drain-source on-resistance: R_DS(ON)= 1.7 Ω (typ.) (V_GS= 10 V)

(2) High forward transfer admittance: |Y_fs| = 2.2 S (typ.)

(3) Low leakage current: I_DSS= 10 µA (max) (V_DS= 600 V)

(4) Enhancement mode: V_th= 2.4 to 4.4 V (V_DS= 10 V, I_D= 1 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1: Gate

2: Drain (heatsink)

3: Source

DPAK

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (T = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

V_DSS

V_GSS

I_D

600

±30

3.5

(Note 1)

I_DP

(T_c= 25)

P_D

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

(Note 2)

(Note 3)

E_AS

I_AR

132

3.5

Repetitive avalanche energy

Channel temperature

E_AR

T_ch



150

-55 to 150

Storage temperature

T_stg

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

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www.freescale.net.cn

12 3 4 5 6 7 8

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与TK4P60DA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TK4P60DB	FREESCALE	获取价格	Silicon N Channel MOS Type (Ï-MOSâ¦)
TK4P60DB	TOSHIBA	获取价格	Switching Regulator Applications
TK4Q60DA	TOSHIBA	获取价格	Switching Voltage Regulators
TK4R1A10PL	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 100 V, 0.0041 Ω@10V, TO-220SIS,
TK4R3A06PL	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 60 V, 0.0043 Ω@10V, TO-220SIS, U
TK4R3E06PL	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 60 V, 0.0043 Ω@10V, TO-220, U-MO
TK4R4P06PL	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 60 V, 0.0044 Ω@10V, DPAK, U-MOSⅨ
TK500	TI	获取价格	16-BIT TO 8-BIT SPDT GIGABIT LAN SWITCH WITH LED SWITCH
TK500AE	TI	获取价格	16-BIT TO 8-BIT SPDT GIGABIT LAN SWITCH WITH LED SWITCH AND ENHANCED ESD PROTECTION
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