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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> TK50P04M1
TK50P04M1 PDF预览

TK50P04M1

更新时间： 2024-02-07 06:03:46
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体转换器稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 194K
描述
High-Efficiency DC-DC Converter Applications Switching Regulator

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TK50P04M1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：60 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES

TK50P04M1 数据手册

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TK50P04M1  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅥ-H)  
TK50P04M1  
High-Efficiency DC-DC Converter Applications  
Unit: mm  
Switching Regulator  
6.6 ± 0.2  
5.34 ± 0.13  
0.58MAX  
•
•
•
•
•
•
High-speed switching  
Small gate charge: Q  
= 9.4 nC (typ.)  
SW  
Low drain-source ON-resistance: R  
= 6.7 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 105 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 10 μA (max) (V  
= 40 V)  
DSS  
DS  
1.14MAX  
Enhancement mode: V = 1.3 to 2.3 V (V  
= 10 V, I = 0.5 mA)  
D
th  
DS  
2.29  
0.76 ± 0.12  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
1
2
3
1. GATE  
2. DRAIN  
（HEAT SINK）  
3. SOURSE  
V
40  
40  
V
V
V
DSS  
V
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
±20  
50  
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain current  
A
Pulsed (Note 1)  
I
150  
60  
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
Single-pulse avalanche energy  
P
W
mJ  
A
D
AS  
AR  
TOSHIBA  
2-7K1A  
E
65  
50  
(Note 2)  
Weight: 0.36 g (typ.)  
Avalanche current  
I
Repetitive avalanche energy  
E
4.4  
mJ  
AR  
(Tc=25℃) (Note 3)  
T
T
150  
°C  
°C  
Channel temperature  
ch  
−55 to 150  
Storage temperature range  
stg  
Note: For Notes 1 to 3, refer to the next page.  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability  
Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e.  
reliability test report and estimated failure rate, etc).  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2009-09-08  
1234567

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