TIP31-BP

更新时间： 2024-02-06 03:19:13

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美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	183K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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TIP31-BP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.06	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

TIP31-BP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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TIP31/31A/31B/31C

Micro Commercial Components

Features

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

The complementary PNP types are the TIP32 respectively

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

Marking : Part Number

Silicon NPN

Power Transistors

•

Absolute Maximum Ratings @ T

= 25℃ (unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

TIP31

TIP31A

TIP31B

TIP31C

V_CEO

TO-220AB

Collector-base voltage (Open emitter)

100

TIP31

TIP31A

TIP31B

TIP31C

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Collector-emitter voltage (Open base)

Emitter-base Voltage (Open collector)

Collector Current

Collector Current Pulse

Base Current

Total Device Dissipation(Ta=25℃)

Total Device Dissipation(Tc=25℃)

Junction Temperature

℃

150

P_C

T_J

T_STG

Storage Temperature Range

-65 to +150

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

V_CEO(SUS)

TIP31

TIP31A

TIP31B

TIP31C

PIN 1.

PIN 2.

PIN 3.

BASE

COLLECTOR

EMITTER

Collector-emitter sustaining voltage

( I_C=30mA; I_B=0)

100

DIMENSIONS

Collector-emitter Saturation Voltage

( I_C=3A I_B=0.375A )

Base-emitter Voltage

( I_C=3A ; V_CE=4V )

Collector cut-off current

(V_CE=40V; V_EB=0)

V_CE(sat)

V_BE

INCHES

1.2

1.8

MIN

14.22

9.65

MAX

NOTE

DIM

MIN

MAX

.625

.560

.380

.140

15.88

10.67

4.82

.420

.190

I_CES

TIP31

3.56

.020

.139

.190

---

.045

.161

.110

.250

.025

0.51

3.53

2.29

---

1.14

4.09

2.79

6.35

0.64

TIP31A

TIP31B

TIP31C

I_CEO

TIP31/31A

TIP31B/C

(V_CE=60V; V_EB=0)

(V_CE=80V; V_EB=0)

(V_CE=100V; V_EB=0)

Collector cut-off current

(V_CE=30V; V_EB=0)

0.2

0.3

.012

0.30

.500

.045

.580

.060

12.70

1.14

14.73

1.52

(V_CE=60V; V_EB=0)

.190

.210

4.83

5.33

Emitter cut-off current

(V_EB=5V; I_C=0)

DC current gain

(I_C=1A ; V_CE=4V)

(I_C=3A ; V_CE=4V)

I_EBO

Hfe

1.0

.100

.080

.045

.230

-----

.135

.115

.055

.270

.050

-----

2.54

2.04

1.14

5.84

-----

3.43

2.92

1.39

6.86

1.27

-----

Transition frequency

( I_C=0.5A ; V_CE=10V)

MHZ

.045

1.15

Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: 5

2008/01/01

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与TIP31-BP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TIP31BS	MOTOROLA	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti	获取价格
TIP31B-S	BOURNS	Designed for Complementary Use with the TIP32 Series	获取价格
TIP31BU2	MOTOROLA	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti	获取价格
TIP31BUA	MOTOROLA	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti	获取价格
TIP31BW	MOTOROLA	3A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
TIP31C	STMICROELECTRONICS	Power transistors	获取价格

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