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TIP31C PDF预览

TIP31C

更新时间： 2024-02-13 06:00:16
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
Medium Power Linear Switching Applications

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TIP31C 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.06最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

TIP31C 数据手册

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TIP31 Series(TIP31/31A/31B/31C)  
Medium Power Linear Switching Applications  
•
Complementary to TIP32/32A/32B/32C  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage : TIP31  
40  
60  
80  
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
: TIP31A  
: TIP31B  
: TIP31C  
100  
Collector-Emitter Voltage : TIP31  
40  
60  
80  
V
V
V
V
: TIP31A  
: TIP31B  
: TIP31C  
100  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
I
I
I
3
C
5
A
CP  
B
1
A
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
40  
2
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
C
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: TIP31  
I
= 30mA, I = 0  
40  
60  
80  
V
V
V
V
C
B
: TIP31A  
: TIP31B  
: TIP31C  
100  
I
Collector Cut-off Current  
: TIP31/31A  
CEO  
V
V
= 30V, I = 0  
= 60V, I = 0  
B
0.3  
0.3  
mA  
mA  
CE  
CE  
B
: TIP31B/31C  
I
Collector Cut-off Current  
: TIP31  
CES  
V
V
V
V
= 40V, V = 0  
200  
200  
200  
200  
µA  
µA  
µA  
µA  
CE  
CE  
CE  
CE  
EB  
: TIP31A  
: TIP31B  
: TIP31C  
= 60V, V = 0  
EB  
= 80V, V = 0  
EB  
= 100V, V = 0  
EB  
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
1
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= 4V, I = 1A  
25  
10  
FE  
CE  
CE  
C
= 4V, I = 3A  
50  
1.2  
1.8  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I
= 3A, I = 375mA  
V
V
CE  
BE  
C
B
(sat)  
V
V
= 4V, I = 3A  
C
CE  
CE  
f
= 10V, I = 500mA  
3.0  
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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