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TIP31CTU

更新时间: 2024-11-04 12:03:59
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 532K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

TIP31CTU 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:2.82
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):30 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzBase Number Matches:1

TIP31CTU 数据手册

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July 2008  
TIP31/TIP31A/TIP31B/TIP31C  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Features  
Complementary to TIP32/TIP32A/TIP32B/TIP32C  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage : TIP31  
40  
60  
80  
V
V
V
V
: TIP31A  
: TIP31B  
: TIP31C  
100  
VCEO  
Collector-Emitter Voltage : TIP31  
40  
60  
80  
V
V
V
V
: TIP31A  
: TIP31B  
: TIP31C  
100  
VEBO  
IC  
ICP  
IB  
Emitter-Base Voltage  
5
V
A
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
3
5
A
1
A
PC  
Collector Dissipation (TC=25°C)  
Collector Dissipation (Ta=25°C)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
40  
2
W
W
°C  
°C  
TJ  
150  
TSTG  
- 65 ~ 150  
© 2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
TIP31/TIP31A/TIP31B/TIP31C Rev. A  
www.fairchildsemi.com  
1

TIP31CTU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP31CG ONSEMI

完全替代

Complementary Silicon Plastic Power Transistors
TIP31C ONSEMI

完全替代

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TIP31C FAIRCHILD

完全替代

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3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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