TIP31F

更新时间： 2024-11-07 03:59:43

品牌	Logo	应用领域
伯恩斯 - BOURNS		晶体晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	89K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TIP31F 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TIP31F 数据手册

TIP31D, TIP31E, TIP31F

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

AUGUST 1978 - REVISED MARCH 1997

●

40 W at 25°C Case Temperature

3 A Continuous Collector Current

5 A Peak Collector Current

TO-220 PACKAGE

(TOP VIEW)

Customer-Specified Selections Available

Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.

MDTRACA

absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

TIP31D

TIP31E

TIP31F

TIP31D

TIP31E

TIP31F

160

Collector-base voltage (I_E= 0)

Collector-emitter voltage (I_B= 0)

V_CBO

180

200

120

V_CEO

140

160

Emitter-base voltage

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Continuous collector current

Peak collector current (see Note 1)

Continuous base current

Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)

Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)

Unclamped inductive load energy (see Note 4)

P_tot

°C

½LI_C

Operating junction temperature range

T_j

T_stg

T_L

-65 to +150

250

Storage temperature range

Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds

NOTES: 1. This value applies for t_p£ 0.3 ms, duty cycle £ 10%.

2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.32 W/°C.

3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.

4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, I_B(on)= 0.4 A, R_BE= 100 W,

V_BE(off)= 0, R_S= 0.1 W, V_CC= 20 V.

P R O D U C T

I N F O R M A T I O N

Information is current as of publication date. Products conform to specifications in accordance

with the terms of Power Innovations standard warranty. Production processing does not

necessarily include testing of all parameters.

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与TIP31F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TIP31G	ONSEMI	获取价格	Complementary Silicon Plastic Power Transistors
TIP31J69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP31LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP31NPN	CDIL	获取价格	PLASTIC POWER TRANSISTORS
TIP31P	MCC	获取价格	TRANSISTOR 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220
TIP31TU	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP32	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
TIP32	FAIRCHILD	获取价格	Medium Power Linear Switching Applications
TIP32	DIOTEC	获取价格	Si-Epitaxial PlanarTransistors
TIP32	CDIL	获取价格	PLASTIC POWER TRANSISTORS

与TIP31F相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

19
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

16
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

39
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TIP31F

TIP31F 技术参数

TIP31F 数据手册

与TIP31F相关器件

与TIP31F相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TIP31F

TIP31F 技术参数

TIP31F 数据手册

与TIP31F相关器件

与TIP31F相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？