TIP31E

更新时间： 2024-11-04 05:55:19

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	225K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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TIP31E 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Base Number Matches：	1

TIP31E 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

TIP31E

DESCRIPTION

·DC Current Gain -h_FE= 25(Min)@ I_C= 1A

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_{(BR) CEO}= 140V(Min)

·Complement to Type TIP32E

APPLICATIONS

·Designed for use in general purpose amplifier and switching

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Pulse

Base Current

VALUE

UNIT

180

140

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

Storage Ttemperature Range

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

3.125 ℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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