TIP32

更新时间： 2024-11-04 08:48:39

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美微科 - MCC		晶体晶体管
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2页	207K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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TIP32 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

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TIP32/32A/32B/32C

Micro Commercial Components

Features

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

The complementary NPN types are the TIP31 respectively

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Silicon PNP

Power Transistors

•

Marking : Part Number

Absolute Maximum Ratings @ T

= 25℃ (unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

TIP32

TIP32A

TIP32B

TIP32C

V_CEO

TO-220

-40

-60

-80

Collector-base voltage

(Open emitter)

-100

-40

-60

-80

-100

-5

-3

-5

-1

TIP32

Collector-emitter voltage

(Open base)

TIP32A

TIP32B

TIP32C

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base Voltage (Open collector)

Collector Current

Collector Current Pulse

Base Current

Total Device Dissipation(Ta=25℃)

Total Device Dissipation(Tc=25℃)

Junction Temperature

℃

150

P_C

T_J

T_STG

Storage Temperature Range

-65 to +150

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

V_CEO(SUS)

TIP32

TIP32A

TIP32B

TIP32C

Parameter

Min

Max

Units

-40

-60

-80

PIN 1.

PIN 2.

PIN 3.

BASE

COLLECTOR

EMITTER

Collector-emitter sustaining voltage

( I_C=-30mA; I_B=0)

DIMENSIONS

MIN

MAX

-100

INCHES

MAX

15.88

10.67

NOTE

Collector-emitter Saturation Voltage

( I_C=-3A I_B=-0.375A )

Base-emitter Voltage

( I_C=-3A ; V_CE=-4V )

Collector cut-off current

(V_CE=-40V; V_EB=0)

DIM

MIN

.560

V_CE(sat)

V_BE

-1.2

.625

.420

.190

14.22

9.65

3.56

.380

.140

-1.8

4.82

.020

.139

.190

---

.045

.161

.110

.250

.025

0.51

3.53

2.29

---

1.14

4.09

2.79

6.35

0.64

I_CES

TIP32

TIP32A

TIP32B

TIP32C

I_CEO

TIP32/32A

TIP32B/C

I_EBO

(V_CE=-60V; V_EB=0)

(V_CE=-80V; V_EB=0)

(V_CE=-100V; V_EB=0)

Collector cut-off current

(-V_CE=30V; V_EB=0)

(-V_CE=60V; V_EB=0)

Emitter cut-off current

(-V_EB=5V; I_C=0)

DC current gain

(I_C=-1A ; V_CE=-4V)

-0.2

.012

0.30

.500

.045

.580

.060

12.70

1.14

14.73

1.52

-0.3

.190

.210

4.83

5.33

.100

.080

.045

.230

-----

.135

.115

.055

.270

.050

-----

2.54

2.04

1.14

5.84

-----

3.43

2.92

1.39

6.86

1.27

-----

-1.0

Hfe

f_T

(I_C=-3A ; V_CE=-4V)

Transition frequency

( I_C=-0.5A ; V_CE=-10V)

.045

1.15

MHZ

Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

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