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TIP31_07

更新时间： 2024-11-04 03:59:43

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管
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2页	107K
描述
General Purpose Silicon Power Transistors

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TIP31_07 数据手册

TIP31 ... TIP31C

General Purpose Silicon Power Transistors

Silizium Leistungs-Transistoren für universellen Einsatz

NPN

Version 2006-07-12

10^±0.2

Max. power dissipation with cooling

Max. Verlustleistung mit Kühlung

40 W

3.8

Collector current

Kollektorstrom

3 A

TO-220AB

2.2 g

Type

Typ

Plastic case

Kunststoffgehäuse

1 2 3

Weight approx.

Gewicht ca.

1.5

0.9

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

2.54

Standard packaging in tubes

Standard Lieferform in Stangen

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2/4 = C 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

TIP31

40 V

TIP31A

TIP31B

80 V

TIP31C

100 V

Collector-Emitter-voltage

Emitter-Base-voltage

B open

E open

C open

V_CEO

V_CES

V_EBO

60 V

40 V

80 V

100 V

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

without cooling – ohne Kühlung

with cooling – mit Kühlung

T_A= 25°C

T_C= 25°C

P_tot

2 W ¹)

40 W

Collector current – Kollektorstrom (dc)

I_C

I_CM

I_B

3 A

5 A

1 A

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Base current – Basisstrom (dc)

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

V_CE= 4 V, I_C= 1 A

V_CE= 4 V, I_C= 3 A

h_FE

–

Collector-Emitter saturation volt. – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)

I_C= 3 A, I_B= 375 mA

Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung ²)

V_CEsat

–

1.2 V

1.8 V

V_CE= 4 V, I_C= 3 A

V_BE

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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