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TIP31CAN PDF预览

TIP31CAN

更新时间： 2024-11-04 13:14:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 87K
描述
3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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TIP31CAN 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.01Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

TIP31CAN 数据手册

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TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C,  
(NPN), TIP32, TIP32A, TIP32B,  
TIP32C, (PNP)  
Complementary Silicon  
Plastic Power Transistors  
http://onsemi.com  
Designed for use in general purpose amplifier and switching  
applications.  
3 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY SILICON  
40−60−80−100 VOLTS,  
40 WATTS  
Features  
• Collector−Emitter Saturation Voltage −  
V
= 1.2 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc  
C
CE(sat)  
• Collector−Emitter Sustaining Voltage −  
V
= 40 Vdc (Min) − TIP31, TIP32  
= 60 Vdc (Min) − TIP31A, TIP32A  
= 80 Vdc (Min) − TIP31B, TIP32B  
= 100 Vdc (Min) − TIP31C, TIP32C  
CEO(sus)  
MARKING  
DIAGRAM  
• High Current Gain − Bandwidth Product  
= 3.0 MHz (Min) @ I = 500 mAdc  
f
T
C
• Compact TO−220 AB Package  
• Pb−Free Packages are Available*  
4
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 1  
TIP3xxG  
AYWW  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector − Emitter Voltage TIP31, TIP32  
TIP31A, TIP32A  
V
40  
60  
80  
Vdc  
CEO  
1
2
3
TIP31B, TIP32B  
100  
TIP31C, TIP32C  
Collector−Base Voltage  
TIP31, TIP32  
TIP31A, TIP32A  
TIP31B, TIP32B  
TIP31C, TIP32C  
V
40  
60  
80  
Vdc  
CB  
TIP3xx = Device Code  
xx  
= 1, 1A, 1B, 1C,  
2, 2A, 2B, 2C,  
= Assembly Location  
= Year  
100  
Emitter−Base Voltage  
Collector Current  
V
5.0  
Vdc  
Adc  
EB  
A
Y
Continuous  
Peak  
I
3.0  
5.0  
C
B
WW  
G
= Work Week  
Pb−Free Package  
Base Current  
I
1.0  
Adc  
Total Power Dissipation  
P
D
@ T = 25_C  
40  
0.32  
C
W
W/_C  
ORDERING INFORMATION  
Derate above 25_C  
See detailed ordering and shipping information in the package  
Total Power Dissipation  
P
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
D
@ T = 25_C  
2.0  
0.016  
A
W
Derate above 25_C  
W/_C  
Unclamped Inductive Load Energy (Note 1)  
E
32  
mJ  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to  
+150  
_C  
J
stg  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1. I = 1.8 A, L = 20 mH, P.R.F. = 10 Hz, V = 10 V, R = 100 W  
C
CC  
BE  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
September, 2005 − Rev. 10  
TIP31A/D  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP31CAU ONSEMI

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 		3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
TIP31C-B BL Galaxy Electrical

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 		100V,3A,Medium Power PNP Bipolar Transistor
TIP31CBD ONSEMI

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 		3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
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 		Silicon NPN Power Transistors
TIP31C-BP-HF MCC

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 		Power Bipolar Transistor,
TIP31CBV ONSEMI

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 		3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
TIP31CC MOTOROLA

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 		3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP31C-DR6269 RENESAS

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 		5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP31C-DR6274 RENESAS

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 		5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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