TIP31C

更新时间： 2024-11-04 03:59:43

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描述
General Purpose Silicon Power Transistors

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TIP31C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.01	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

TIP31C 数据手册

TIP31 ... TIP31C

General Purpose Silicon Power Transistors

Silizium Leistungs-Transistoren für universellen Einsatz

NPN

Version 2006-07-12

10^±0.2

Max. power dissipation with cooling

Max. Verlustleistung mit Kühlung

40 W

3.8

Collector current

Kollektorstrom

3 A

TO-220AB

2.2 g

Type

Typ

Plastic case

Kunststoffgehäuse

1 2 3

Weight approx.

Gewicht ca.

1.5

0.9

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

2.54

Standard packaging in tubes

Standard Lieferform in Stangen

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2/4 = C 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

TIP31

40 V

TIP31A

TIP31B

80 V

TIP31C

100 V

Collector-Emitter-voltage

Emitter-Base-voltage

B open

E open

C open

V_CEO

V_CES

V_EBO

60 V

40 V

80 V

100 V

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

without cooling – ohne Kühlung

with cooling – mit Kühlung

T_A= 25°C

T_C= 25°C

P_tot

2 W ¹)

40 W

Collector current – Kollektorstrom (dc)

I_C

I_CM

I_B

3 A

5 A

1 A

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Base current – Basisstrom (dc)

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

V_CE= 4 V, I_C= 1 A

V_CE= 4 V, I_C= 3 A

h_FE

–

Collector-Emitter saturation volt. – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)

I_C= 3 A, I_B= 375 mA

Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung ²)

V_CEsat

–

1.2 V

1.8 V

V_CE= 4 V, I_C= 3 A

V_BE

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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TIP31C16A	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
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