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TIP141F

更新时间： 2024-02-04 13:54:00
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2页 60K
描述
SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS

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TIP141F 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3P包装说明：TO-3P, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.9
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：500
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：125 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON

TIP141F 数据手册

 浏览型号TIP141F的Datasheet PDF文件第2页 
Transys  
Electronics  
L
I M I T E D  
SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS  
TIP140F, 141F, 142F NPN  
TIP145F, 146F, 147F PNP  
TO- 3P Fully Isolated  
Plastic Package  
B
C
E
For use in Power Linear and Switching Applications  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
TIP140F  
TIP145F  
60  
TIP141F  
TIP146F  
80  
TIP142F  
TIP147F  
100  
UNIT  
VCBO  
VCEO  
VEB0  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
A
A
A
W
60  
80  
100  
5.0  
10  
Collector Current  
ICM  
20  
Collector Peak Current (repetitive)  
Base Current  
IB  
0.5  
Total Power Dissipation @ Tc <25ºC  
PD  
60  
Operating And Storage Junction  
Temperature Range  
Tj, Tstg  
- 65 to +150  
1.0  
ºC  
THERMAL RESISTANCE  
From Junction to case  
Rth (j-c)  
ºC/W  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25ºC unless specified otherwise)  
TEST CONDITION  
VCB =Rated VCBO, IE=0  
VCE =1/2 rated VCEO, IB=0  
VEB =5.0 V, IC=0  
MIN  
TYP MAX  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
ICBO  
UNIT  
mA  
Collector Cutoff Current  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
1.0  
2.0  
2.0  
ICEO  
mA  
IEBO  
mA  
*VCEO (sus)  
IC =30mA, IB=0  
TIP140F/145F  
TIP141F/146F  
60  
80  
100  
V
V
V
TIP142F/147F  
*VCE (sat)  
IC =5A, IB=10mA  
IC =10A, IB =40mA  
IC =10A, VCE =4 V  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
2.0  
3.0  
3.0  
V
V
V
*VBE (on)  
*hFE  
Base-Emitter On Voltage  
DC Current Gain  
IC =5A, VCE =4V  
IC =10A, VCE =4 V  
1000  
500  
SWITCHING TIME  
DESCRIPTION  
TEST CONDITION  
IC=10A, IB1=40mA, IB2=  
- 40mA, RL=3W  
MIN  
TYP MAX  
SYMBOL  
UNIT  
ms  
ton  
toff  
Turn on time  
Turn off time  
0.9  
4.0  
ms  
*Pulsed : Pulse duration=200ms, duty cycle=1.5%  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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