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TIP125

更新时间： 2024-02-22 06:58:18
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
Medium Power Linear Switching Applications

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TIP125 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.67外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：65 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz

TIP125 数据手册

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TIP125/126/127  
Medium Power Linear Switching Applications  
•
Complementary to TIP120/121/122  
TO-220  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
PNP Epitaxial Darlington Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Equivalent Circuit  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage : TIP125  
- 60  
- 80  
- 100  
V
V
V
CBO  
: TIP126  
: TIP127  
B
Collector-Emitter Voltage : TIP125  
- 60  
- 80  
- 100  
V
V
V
V
V
: TIP126  
: TIP127  
CEO  
EBO  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
- 5  
- 5  
V
A
R1  
R2  
I
I
I
C
E
R1 8 k Ω  
R2 0.12 k Ω  
- 8  
A
CP  
B
- 120  
2
mA  
W
W
°C  
°C  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
a
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
65  
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: TIP125  
: TIP126  
: TIP127  
I
= -100mA, I = 0  
-60  
-80  
-120  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP125  
CEO  
V
V
V
= -30V, I = 0  
-2  
-2  
-2  
mA  
mA  
mA  
CE  
CE  
CE  
B
: TIP126  
: TIP127  
= -40V, I = 0  
B
= -50V, I = 0  
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP125  
CBO  
V
V
V
= -60V, I = 0  
-1  
-1  
-1  
mA  
mA  
mA  
CB  
CB  
CB  
E
: TIP126  
: TIP127  
= -80V, I = 0  
E
= -100V, I = 0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= -5V, I = 0  
-2  
mA  
EBO  
BE  
C
h
V
V
= -3V, I = 0.5A  
1000  
1000  
FE  
CE  
BE  
CE  
CE  
C
= -3V, I = -3A  
C
V
(sat)  
(on)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
= -3A, I = -12mA  
-2  
-4  
V
V
C
B
I =-5A, I =-20mA  
C
B
V
* Base-Emitter ON Voltage  
Output Capacitance  
V
= -3V, I = -3A  
-2.5  
300  
V
CE  
CB  
C
C
V
= -10V, I = 0, f = 0.1MHz  
pF  
ob  
E
* Pulse Test : PW≤300µs, Duty cycle ≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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TIP125 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP125TU FAIRCHILD

类似代替

 PNP Epitaxial Darlington Transistor, TO-220, MOLDED, 3LEAD, JEDEC VARIATION AB, 1000/RAIL
TIP127 FAIRCHILD

类似代替

 Medium Power Linear Switching Applications
TIP115 FAIRCHILD

类似代替

 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP125_07 DIOTEC

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 		5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP12516A MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP125-6200 RENESAS

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 		8A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP125-6203 RENESAS

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 		8A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP125-6226 RENESAS

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TIP125-6258 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti

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