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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP125TU
TIP125TU PDF预览

TIP125TU

更新时间： 2024-09-26 13:14:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
PNP Epitaxial Darlington Transistor, TO-220, MOLDED, 3LEAD, JEDEC VARIATION AB, 1000/RAIL

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TIP125TU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.22
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：65 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TIP125TU 数据手册

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TIP125/126/127  
Medium Power Linear Switching Applications  
•
Complementary to TIP120/121/122  
TO-220  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
PNP Epitaxial Darlington Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Equivalent Circuit  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage : TIP125  
- 60  
- 80  
- 100  
V
V
V
CBO  
: TIP126  
: TIP127  
B
Collector-Emitter Voltage : TIP125  
- 60  
- 80  
- 100  
V
V
V
V
V
: TIP126  
: TIP127  
CEO  
EBO  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
- 5  
- 5  
V
A
R1  
R2  
I
I
I
C
E
R1 8 k Ω  
R2 0.12 k Ω  
- 8  
A
CP  
B
- 120  
2
mA  
W
W
°C  
°C  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
a
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
65  
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: TIP125  
: TIP126  
: TIP127  
I
= -100mA, I = 0  
-60  
-80  
-120  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP125  
CEO  
V
V
V
= -30V, I = 0  
-2  
-2  
-2  
mA  
mA  
mA  
CE  
CE  
CE  
B
: TIP126  
: TIP127  
= -40V, I = 0  
B
= -50V, I = 0  
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP125  
CBO  
V
V
V
= -60V, I = 0  
-1  
-1  
-1  
mA  
mA  
mA  
CB  
CB  
CB  
E
: TIP126  
: TIP127  
= -80V, I = 0  
E
= -100V, I = 0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= -5V, I = 0  
-2  
mA  
EBO  
BE  
C
h
V
V
= -3V, I = 0.5A  
1000  
1000  
FE  
CE  
BE  
CE  
CE  
C
= -3V, I = -3A  
C
V
(sat)  
(on)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
= -3A, I = -12mA  
-2  
-4  
V
V
C
B
I =-5A, I =-20mA  
C
B
V
* Base-Emitter ON Voltage  
Output Capacitance  
V
= -3V, I = -3A  
-2.5  
300  
V
CE  
CB  
C
C
V
= -10V, I = 0, f = 0.1MHz  
pF  
ob  
E
* Pulse Test : PW≤300µs, Duty cycle ≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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TIP125TU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP125 FAIRCHILD

类似代替

 Medium Power Linear Switching Applications
TIP32C STMICROELECTRONICS

功能相似

 Power transistor
TIP112 STMICROELECTRONICS

功能相似

 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

与TIP125TU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP125W MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP126 FAIRCHILD

获取价格

 		Medium Power Linear Switching Applications
TIP126 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
TIP126 DIOTEC

获取价格

 		Si-Epitaxial PlanarTransistors
TIP126 MOSPEC

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 		POWER TRANSISTORS(5.0A,60-100V,65W)
TIP126 BOCA

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 		Power Darlingtons for Linear and Switching Applications
TIP126 POINN

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 		PNP SILICON POWER DARLINGTONS
TIP126 TRSYS

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 		PLASTIC POWER TRANSISTORS
TIP126 MCC

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 		Silicon PNP Darlington Power Transistors
TIP126 TAITRON

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 		Darlington Power Transistors (PNP)

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