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TIP126

更新时间： 2024-02-10 05:47:57

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	132K
描述
Silicon PNP Darlington Power Transistors

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TIP126 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.24	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TIP126 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Darlington Power Transistors

TIP125/126/127

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·DARLNGTON

·High DC current gain

·Low collector saturation voltage

·Complement to type TIP120/121/122

APPLICATIONS

·Designed for general–purpose amplifier

and low–speed switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Tc=25ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

TIP125

TIP126

TIP127

TIP125

TIP126

TIP127

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-80

-100

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current-DC

Collector current-Pulse

Base current-DC

Open collector

-5

-8

-120

T_C=25ꢀ

T_a=25ꢀ

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-65~150

ꢀ

T_stg

12 3 4

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