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TIP126 PDF预览

TIP126

更新时间： 2024-11-24 14:53:19
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鲁光 - LGE 晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 830K
描述
达林顿晶体管

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TIP126 技术参数

极性：PNPPc（W）：2
Collector-emitter breakdown voltage：80IC(A)：5
DC current gain - Min：1000DC current gain - Max：/
Transition frequency：/Package：TO-220AB
class：Transistors

TIP126 数据手册

 浏览型号TIP126的Datasheet PDF文件第2页 
TIP120-TIP127  
TO-220 Darlington Transistor  
TO-220  
1.BASE  
2.COLLECTOR  
3.EMITTER  
3
2
1
Features  
TIP120,121,122 Darlington TRANSISTOR (NPN)  
—
—
—
TIP125,126,127 Darlington TRANSISTOR (PNP)  
Medium Power Complementary silicon transistors  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
TIP120  
TIP125  
60  
TIP121  
TIP126  
80  
TIP122  
TIP127  
100  
Units  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
60  
80  
100  
Emitter-Base Voltage  
5
5
V
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Thermal Resistance Junction to Case  
Junction Temperature  
A
PC  
2
W
RθJA  
RθJc  
TJ  
62.5  
1.92  
150  
℃/W  
℃/W  
℃
Tstg  
Storage Temperature  
-55to+150  
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test conditions  
MIN  
MAX  
UNIT  
V
Collector-base breakdown voltage TIP120,TIP125  
TIP121,TIP126  
60  
80  
V(BR)CBO  
IC= 1mA,IE=0  
TIP122,TIP127  
100  
60  
Collector-emitter breakdown voltage TIP120,TIP125  
TIP121,TIP126 VCEO(SUS) IC= 30mA,IB=0  
80  
V
TIP122,TIP127  
100  
Collector cut-off current  
Collector cut-off current  
TIP120,TIP125  
TIP121,TIP126  
TIP122,TIP127  
VCB= 60 V, IE=0  
ICBO  
V
V
CB= 80 V, IE=0  
CB= 100V, IE=0  
0.2  
mA  
TIP120,TIP125  
VCE=30 V, IB=0  
TIP121,TIP126  
TIP122,TIP127  
ICEO  
V
V
CE=40 V, IB=0  
CE=50 V, IB=0  
0.5  
2
mA  
mA  
Emitter cut-off current  
DC current gain  
IEBO  
hFE(1)  
hFE(2)  
VEB=5 V, IC=0  
VCE= 3V, IC=0.5A  
VCE= 3V, IC=3 A  
1000  
1000  
IC=3A,IB=12mA  
IC=5 A,IB=20mA  
2
4
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
VCE(sat)  
VBE  
V
V
VCE=3V, IC=3 A  
2.5  
Output Capacitance  
TIP125,TIP126,TIP127  
TIP120,TIP121,TIP122  
300  
200  
Cob  
VCB=10V, IE=0,f=0.1MHz  
pF  
http://www.lgesemi.com  
Revision:20170701-P1  
mail:lge@lgesemi.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
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