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TIP115 PDF预览

TIP115

更新时间： 2024-10-31 22:42:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 电阻器
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors

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TIP115 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.29
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.06最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：500JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：50 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON

TIP115 数据手册

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TIP115/116/117  
Monolithic Construction With Built In Base-  
Emitter Shunt Resistors  
•
•
•
•
High DC Current Gain : h =1000 @ V = -4V, I = -1A (Min.)  
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
Industrial Use  
FE CE C  
Complementary to TIP110/111/112  
TO-220  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor  
Equivalent Circuit  
C
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage : TIP115  
- 60  
- 80  
- 100  
V
V
V
CBO  
: TIP116  
: TIP117  
B
Collector-Emitter Voltage : TIP115  
- 60  
- 80  
- 100  
V
V
V
V
V
: TIP116  
: TIP117  
CEO  
EBO  
R1  
R2  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
- 5  
V
A
I
I
I
- 2  
C
E
R1 10 k Ω  
R2 0.6 k Ω  
-4  
- 50  
A
CP  
B
mA  
W
W
°C  
°C  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
2
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
50  
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: TIP115  
: TIP116  
: TIP117  
I
= -30mA, I = 0  
-60  
-80  
-100  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP115  
CEO  
V
V
V
= -30V, I = 0  
-2  
-2  
-2  
mA  
mA  
mA  
CE  
CE  
CE  
B
: TIP116  
: TIP117  
= -40V, I = 0  
B
= -50V, I = 0  
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP115  
CBO  
V
V
V
= -60V, I = 0  
-1  
-1  
-1  
mA  
mA  
mA  
CB  
CB  
CB  
E
: TIP116  
: TIP117  
= -80V, I = 0  
E
= -100V, I = 0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
= -5V, I = 0  
-2  
mA  
EBO  
BE  
C
h
V
V
= -4V,I = -1A  
1000  
500  
FE  
CE  
CE  
C
= -4V, I = -2A  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
Output Capacitance  
I
= -2A, I = -8mA  
-2.5  
-2.8  
200  
V
V
CE  
BE  
C
B
(on)  
V
V
= -4V, I = -2A  
C
CE  
CB  
C
= -10V, I = 0, f = 0.1MHz  
pF  
ob  
E
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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TIP115 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP127 FAIRCHILD

类似代替

 Medium Power Linear Switching Applications
TIP125 FAIRCHILD

类似代替

 Medium Power Linear Switching Applications
TIP125 STMICROELECTRONICS

功能相似

 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

与TIP115相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP115_11 MCC

获取价格

 		PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistors
TIP115-6200 RENESAS

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP115-6255 RENESAS

获取价格

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TIP115-6258 RENESAS

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 		2A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
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 		Transistor

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