TIP115-BP

更新时间： 2024-11-19 13:00:59

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美微科 - MCC		晶体晶体管达林顿晶体管
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TIP115-BP 数据手册

M C C

TIP115

TIP116

TIP117

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

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Micro Commercial Components

Features

High DC Current Gain : h_FE=1000 @ V_CE=4.0V, I_C=1.0A(Min.)

Low Collector-Emitter Saturation Voltage

Complementary to TIP110/111/112

Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

PNP Epitaxial

Silicon Darlington

Transistors

^·Ma^Mxi^om^isuu^rm^{e S}R^eaⁿt^si^itn^ivg^its^{y Level 1}

Symbol

Rating

Unit

TO-220

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

TIP115

TIP116

TIP117

100

V_CBO

Collector-Base Voltage

TIP115

TIP116

TIP117

100

V_EBO

I_C

I_CP

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

5.0

2.0

4.0

2.0

^OC

Collector Current (Pulse)

Base Current (DC)

Collector Dissipation @T_A=25^OC

Collector Dissipation @T_C=25^OC

Junction Temperature

P_C

T_J,

T_STG

-55 to +150

Storage Temperature

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbl

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

Equivalent Circuit

V_CEO(SUS)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

(I _C=30mAdc, I_B=0)

TIP115

TIP116

TIP117

100

---

Vdc

I_CEO

Collector Cut-off Current

(V _CE=30Vdc, I_B=0)

(V_CE=40Vdc, I_B=0)

(V_CE=50Vdc, I_B=0)

TIP115

TIP116

TIP117

---

2.0

mAdc

I_CBO

Collector Cut-off Current

(V _CB=60Vdc, I_E=0)

1.Base

2.Collector

3.Emitter

TIP115

TIP116

TIP117

---

1.0

mAdc

R1 10 k Ω

R2 0.6 k Ω

(V _CB=80Vdc, I =0)

(V _CB=100Vdc, I_E=0)

Emitter Cut-off Current

(V_BE=5.0Vdc, I_C=0)

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢆꢄꢅ

I_EBO

---

2.0

ꢇ ꢇ ꢇ ꢇ

INCHES

ꢀꢁꢂ

ꢂꢁꢄ

.595

.380

.160

.025

.142

.190

.110

.018

.500

.045

.100

.080

.045

.235

------

ꢂꢈꢉ

.620

.405

.190

.035

.147

.210

.130

.025

.562

.060

.120

.110

.055

.255

.050

ꢂꢁꢄ

ꢂꢈꢉ

15.75

10.29

4.82

0.89

3.73

5.33

3.30

0.64

14.27

1.52

3.04

2.79

1.39

6.48

1.27

ꢄꢆꢊꢃ

ON CHARACTERISTICS

h_FE(1)

15.11

9.65

4.06

0.64

3.61

4.83

2.79

0.46

12.70

1.14

2.54

2.04

1.14

5.97

-----

DC Current Gain

(I _C=1.0Adc, V_CE=4.0Vdc)

1000

500

---

2.5

----

Vdc

(I =2.0Adc, V_CE=4.0Vdc)

V_CE(sat)

V_BE(ON)

C_ob

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I =2.0Adc, I_B=8.0mAdc)

Base-Emitter On Voltage

(I _C=2.0Adc,V_CE=4.0Adc)

Output Capacitance

---

2.8

200

(V _CB=10V, I_E=0, f=0.1MH z)

Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

www.mccsemi.com

1 of 1

Revision: A

2011/01/01

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TIP115-DR6280	RENESAS	获取价格	2A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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